Ученые России и Китая создают прототип первого элемента магнитной памяти: компьютеры и смартфоны смогут неделями работать без подзарядки. Об этом сообщает пресс-служба Министерства образования и науки РФ.
В основе разработки магнитной памяти лежат принципы спин-орбитроники — новой области науки и техники. Запись в такой памяти осуществляется спиновым током без приложения внешних магнитных полей, а информация хранится без потребления энергии. Спиновые системы более энергоэффективны, быстры и надежны, чем традиционные системы записи и хранения информации.
Если в электронике информация передается, хранится и обрабатывается как электрический заряд, то спин-орбитроника базируется на принципиально другом подходе: устройства также могут хранить и обрабатывать информацию, но без физического переноса заряженных частиц (электрического тока).
Исследователи нашли способ управлять ориентацией магнитных моментов (спинов) с электрическим током. Уже получены положительные результаты экспериментов на основе фундаментальных исследований. В будущем магнитная память сможет дополнить или заменить традиционные полупроводниковые технологии и создавать более эффективную память для компьютеров и смартфонов: такие устройства смогут неделями работать без подзарядки.